技术简介: 本发明提供一种抑制气体的流速的微波等离子体处理装置。微波等离子体处理装置(100)具有:通过缝隙天线(30)透过微波的由多个电介质零件(310)构成的电介质窗;固定在梁(26)下面的多个气体喷嘴(27);…… 查看详细 >
技术简介: 一种成膜装置及成膜方法。成膜装置具有向喷出容器内喷出有机EL分子气体的结构,具有多个有机EL原料容器、连接多个有机EL原料容器和喷出容器的配管系,多个有机EL原料容器有选择地成为有机EL分子供…… 查看详细 >
技术简介: 1、一种基于多核独立元分析的批量生产过程故障检测方法,其特征在于该方法包括以下步骤:步骤一、采集数据采集过程中相关变量的数据,对于每个故障,采集两组数据,即标准操作模式的训练数据和在线监…… 查看详细 >
技术简介: 一种非线性过程故障诊断方法,包括采集数据、进行相似性分析、利用核主元分析对数据进行白化处理,求解白化后的观测变量Z、利用修正独立元分析ICA提取独立元、利用T2和SPE统计量和LS-SVM进行故障…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种利用不需要远距离腔室和专用微波源等的简单结构就能够清洁处理室内的淀积物的技术。本发明的等离子体处理装置,利用在波导管中传播的、并向在处理室内面上配置的电介质传播的微波,…… 查看详细 >
技术简介: 本发明的等离子体氮化处理方法,由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内,形成含氮气体的微波激发高密度等离子体,在等离子体处理装置的处理容器内,使该高密度等离子体作用于被处理体表面的…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种磁记录介质和一种磁记录和再现装置。所述磁记录介质包括基底11、在所述基底11上形成的衬层12、在所述衬层12上形成的磁记录层13、以及在所述磁记录层13上形成的保护层14,所述磁记…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种半导体装置,为了使构成CMOS电路的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的动作速度实质上相同,对N型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造,对P型MOS晶体管采取仅在(…… 查看详细 >
技术简介: 1、安静。可选择在客户端或者终端或者两者之间发出声光报警,具体根据客户需求以及病人状态。终端一般在护士站或者护士手中,病人处可以享受完美休息不受打扰。2、动作可靠。采用传感器作为数据…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种反劫车安全装置,包括电源(1)、变压器(2)、开关(3),其特征是,所述电源(1)、变压器(2)、开关(3)与导电片(4)、强光灯(5)构成闭合电路,所述电源(1)与所述变压器(2)串联,所…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种多层电路基板以及使用该多层电路基板的电子设备,该多层电路基板包括低介电常数的层间绝缘膜,由于与此层间绝缘膜接触的表面没有凹凸、不会产生制造合格率的下降或高频信号的传输特…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜,具有可工作的负MR比率的特性,可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括:隧道势垒层;和夹着所述隧道势垒层的…… 查看详细 >
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