[00044693]隧道磁阻效应膜和磁性装置
联系人： 张耀伟
所在地：辽宁 沈阳市
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技术详细介绍
本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜,具有可工作的负MR比率的特性,可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括:隧道势垒层;和夹着所述隧道势垒层的磁性层。磁性层之一由FEN构成。
