[00044657]半导体装置
联系人： 张耀伟
所在地：辽宁 沈阳市
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技术详细介绍
本发明提供一种半导体装置,为了使构成CMOS电路的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的动作速度实质上相同,对N型MOS晶体管采取在(100)面和 (110)面双方都具有沟道区域的三维构造,对P型MOS晶体管采取仅在(110)面上具有沟道区域的平面构造。进而构成为使两个晶体管的沟道区域和栅极 绝缘膜面积相等。由此,可以使栅极绝缘膜等的面积相等,并且,也可以使栅极容量相等。
