[00044653]等离子体氮化处理方法及半导体装置的制造方法
联系人： 张耀伟
所在地：辽宁 沈阳市
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技术详细介绍
本发明的等离子体氮化处理方法,由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内,形成含氮气体的微波激发高密度等离子体,在等离子体处理装置的处理容器内,使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅,在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。
