技术简介： 本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种PIN型室温核辐射探测器，包括GaN衬底、n型掺杂层、p型掺杂层和两个接触电极，其特征在于：所述GaN衬底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述n型掺杂层为掺杂硅的GaN薄膜，制... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅基高效多结太阳电池，包括一顶层子电池、一中间子电池和一底层子电池，各子电池间经隧道结连接构成串联连接结构，其特征在于：所述底层子电池是Si的PN结电池，所述中间子电池... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种测试双面芯片光电性能的组件，包括一待测双面芯片，待测双面芯片的一面设有受光位置，另一面布有引脚，该组件还包括一玻璃基板和一印刷电路板，所述印刷电路板上设有通孔，所述... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合涂层材料，包括基材层和喷涂在基材层表面的复合涂层，所述复合涂层包括采用超音速喷涂工艺将高聚物喷涂在基材表面而形成的高聚物缓冲层，和采用超音速喷涂工艺将非有机材料... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种纳米复合陶瓷反应釜，包括基体及涂覆其上涂层，其特征在于：所述反应涂层采用无机材料，涂层材料的熔点在1000℃至2800℃之间，所述反应釜内表面保护涂层通过超音速火焰喷涂方法... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种属于薄膜制备领域的多孔缓冲层生长方法，其特征在于使用金属合金制备多孔缓冲层，该法包括：利用薄膜沉积设备，在单晶衬底上沉积金属合金薄层，继而形成氮化物多孔掩膜层；在该... 查看详细 >
技术简介： 一种TiO2纳米管和/或TiO2纳米须的制造方法，包括如下步骤：(1)将TiO2粉末溶于pH为12～14的NaOH或KOH溶液，其中TiO2与NaOH或KOH的重量比为1∶30～1∶150；(2)用超声波粉碎仪对步骤(1)得到的溶液... 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种用于外延生长的原位应力光学监控装置包括激光器、激光分束器、图像采集设备、控制系统以及构成相应光路的光学元件，其中，所述光路为，所述激光器发出的激光束经激光分束器... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备三族氮化物衬底的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长三族氮化物薄膜，薄膜厚度在50纳米到50微米之间；(2)用高能量激光从衬底背面入射辐照，使三族氮化... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘防电晕多功能薄膜，由云母超细颗粒为主要原料制成，其特征在于：以重量百分比计，其含有下列组份，云母：50～100％，氧化铝：0～50％，氧化锆：0～50％，碳化硅：0～50％，... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种原位合成制备化合物芯片的方法，首先在基底上制备紫外LED发光阵列，所述发光阵列分布与待合成化合物的预设点位一致；然后对紫外LED发光阵列或者其它芯片材料进行表面修饰，在其... 查看详细 >
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