[00034224]一种PIN型室温核辐射探测器及其制备方法
联系人： 王老师
所在地：江苏 苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种PIN型室温核辐射探测器，包括GaN衬底、n型掺杂层、p型掺杂层和两个接触电极，其特征在于：所述GaN衬底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述n型掺杂层为掺杂硅的GaN薄膜，制作在所述GaN衬底的一面，所述p型掺杂层为掺杂镁的GaN薄膜，制作在GaN衬底的另一面，两个接触电极分别制作在n型掺杂层和p型掺杂层的外表面。本发明的室温核辐射探测器具有良好的室温灵敏度、探测效率和稳定性，更适用于强辐射场的探测领域；同时，本发明的制造工艺简单，成本低廉，适于工业化推广。
