[00034225]硅基高效多结太阳电池及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
纳米及超细材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:200810018407.1
交易方式:
完全转让
联系人:
王老师
所在地:江苏 苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种硅基高效多结太阳电池,包括一顶层子电池、一中间子电池和一底层子电池,各子电池间经隧道结连接构成串联连接结构,其特征在于:所述底层子电池是Si的PN结电池,所述中间子电池是GaAs的PN结电池,所述顶层子电池是GaInP的PN结电池,各子电池及其间的连接结构直接在硅单晶衬底上生长而成。本发明可以充分利用现有的硅太阳电池成熟的生产技术,解决了Si与GaAs晶格不匹配的问题,可提高转换效率到28%以上,超过现有Si太阳电池的理论极限。