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[00034225]硅基高效多结太阳电池及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200810018407.1

交易方式: 完全转让

联系人: 王老师

所在地:江苏 苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明公开了一种硅基高效多结太阳电池,包括一顶层子电池、一中间子电池和一底层子电池,各子电池间经隧道结连接构成串联连接结构,其特征在于:所述底层子电池是Si的PN结电池,所述中间子电池是GaAs的PN结电池,所述顶层子电池是GaInP的PN结电池,各子电池及其间的连接结构直接在硅单晶衬底上生长而成。本发明可以充分利用现有的硅太阳电池成熟的生产技术,解决了Si与GaAs晶格不匹配的问题,可提高转换效率到28%以上,超过现有Si太阳电池的理论极限。

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