技术简介: 本发明的等离子体氮化处理方法,由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内,形成含氮气体的微波激发高密度等离子体,在等离子体处理装置的处理容器内,使该高密度等离子体作用于被处理体表面的…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种磁记录介质和一种磁记录和再现装置。所述磁记录介质包括基底11、在所述基底11上形成的衬层12、在所述衬层12上形成的磁记录层13、以及在所述磁记录层13上形成的保护层14,所述磁记…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种半导体装置,为了使构成CMOS电路的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的动作速度实质上相同,对N型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造,对P型MOS晶体管采取仅在(…… 查看详细 >
技术简介: 1、安静。可选择在客户端或者终端或者两者之间发出声光报警,具体根据客户需求以及病人状态。终端一般在护士站或者护士手中,病人处可以享受完美休息不受打扰。2、动作可靠。采用传感器作为数据…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种反劫车安全装置,包括电源(1)、变压器(2)、开关(3),其特征是,所述电源(1)、变压器(2)、开关(3)与导电片(4)、强光灯(5)构成闭合电路,所述电源(1)与所述变压器(2)串联,所…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种多层电路基板以及使用该多层电路基板的电子设备,该多层电路基板包括低介电常数的层间绝缘膜,由于与此层间绝缘膜接触的表面没有凹凸、不会产生制造合格率的下降或高频信号的传输特…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜,具有可工作的负MR比率的特性,可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括:隧道势垒层;和夹着所述隧道势垒层的…… 查看详细 >
技术简介: 提供一种低介电常数且不会产生CFX、SIF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中,所述层间绝缘膜的有效介电常数为3…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供电子器件的器件识别方法,是识别具有电子器件实际工作时工作的实际工作电路;以及设有多个测试用元件,在测试电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法;该方法具有:特性测量…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种液晶显示器及导光板。大型液晶显示器(100)具有配置于液晶面板(1)的背面侧的导光板(3)。导光板(3)的表面为平面,背面为凹曲面。另外,与热阴极型荧光灯(2A、2B)对置的导光板(3)的上…… 查看详细 >
技术简介: 本发明能够实现等离子体处理装置长度方向的等离子体均匀性,同时与多重处理对应。具有多个可变耦合器(12)的微波导管(10)设置在真空室(21)中,微波发生器(23中发生的微波通过波导管(24导入微波导管…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供磁性薄膜和磁阻效应元件。在所述磁性薄膜中,可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括:反铁磁层;和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成,并且在反铁磁层和铁磁…… 查看详细 >
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