技术简介: 本发明提供一种碳纳米管纤维的表面改性方法,从碳纳米管阵列中拉丝成带状碳纳米管阵列,在纺丝之前引入有机溶液或无机溶液,通过共价或非共价键合方式对纺丝中的碳纳米管或成丝后的碳纳米管纤维…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法,先将硅衬底清洗后,并吹干,放入反应磁控溅射装置的反应室中,沉积前反应室背底绝对压力低于5×10-3Pa;采用Fe和Mg靶材作为…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法,其构造步骤为:1)制备GaN基LED芯片:对GaN基LED外延片进行干法刻蚀,形成L型,露出N-GaN层台面;在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种集成压电可动微透镜增强型锥形亚波长近场光探针阵列,由集成压电可动微透镜和带金属沟槽结构的锥形亚波长通光孔阵列组成,在减薄的SOI衬底上制作有锥形孔,锥形孔内表面及周围都…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种基于仿生与生物特征识别的考试者身份鉴定系统,综合运用基于高维空间几何形体自适应覆盖理论的各种生物特征识别方法来实现对考试者身份的鉴定。首先通过采集设备获取考试者的握…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器,包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极,其特征在于:所述GaN基底为厚膜结构,其厚度为100um~200um,所述肖特基电极和欧姆电极分别…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种PIN型室温核辐射探测器,包括GaN衬底、n型掺杂层、p型掺杂层和两个接触电极,其特征在于:所述GaN衬底为厚膜结构,其厚度为100um~200um,所述n型掺杂层为掺杂硅的GaN薄膜,制…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种硅基高效多结太阳电池,包括一顶层子电池、一中间子电池和一底层子电池,各子电池间经隧道结连接构成串联连接结构,其特征在于:所述底层子电池是Si的PN结电池,所述中间子电池…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种测试双面芯片光电性能的组件,包括一待测双面芯片,待测双面芯片的一面设有受光位置,另一面布有引脚,该组件还包括一玻璃基板和一印刷电路板,所述印刷电路板上设有通孔,所述…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种快速封固金属矿尾矿沙的方法。目前,我国金属选矿厂的矿石经过破碎和研磨,达到一定细度后进行金属的浮选或磁选,选出少量金属精矿后,其余尾矿作为废渣全部排放掉。废渣排放不仅…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种利用金属选矿废渣生产快凝水泥的方法。将金、银、铜、铁……等金属选矿废渣进行筛分处理,去除大颗粒杂物,使矿渣细度达到100目以上,这部分矿渣作为快凝水泥的基料。另外配YHN、…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种复合涂层材料,包括基材层和喷涂在基材层表面的复合涂层,所述复合涂层包括采用超音速喷涂工艺将高聚物喷涂在基材表面而形成的高聚物缓冲层,和采用超音速喷涂工艺将非有机材料…… 查看详细 >
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