技术简介: 本发明涉及一种在Mg-Gd-Y-Zr(wt.%)镁合金上化学镀镍的方法(专利号201010221683.5),该方法是先对镁合金基体进行镀前预处理,然后化学镀镍沉积出化学镀镍层。所述镀前预处理,包括除油、活化…… 查看详细 >
技术简介: 本发明一种耐磨抗蚀Ni-P/TiAlN梯度镀层及其制备方法(专利号201310320128.1);属于表面涂层制备技术领域。本发明耐磨抗蚀Ni-P/TiAlN梯度镀层,以质量百分比计包括下述组分:Ni80-84%、P9-12%、…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种CVD热板法快速制备高密度各向同性炭的方法(专利号200910044786.6),把作为发热体和CVD沉积垫底的石墨板、石墨纸、石墨筒或石墨棒等直接通电发热,置于真空或保护气氛的沉积炉…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种运动磁场辅助增强化学气相沉积方法(专利号201210158815.3),是在化学气相沉积装置中的沉积区域设有周期性旋转运动磁场,所述沉积区域中磁场强度为100高斯至30特斯拉;本发明…… 查看详细 >
技术简介: 一种化学气相渗透增密用多料柱式工业炉(专利号201110152472.5),包括炉盖、炉体和炉座,所述炉盖、炉体连接为一体,在所述炉盖、炉体中设有保温罩组成钟罩式结构而整体坐装在所述炉座上;在所…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法(专利号201310229037.7),所制备的C/SiC涂层材料与基体结合紧密,分为典型的三区结构:界面结合区、孔隙过渡区和外层致密区,涂层的致密外…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种多用途批量制备CVD金刚石膜的工业设备(专利号200910043584.X),包括真空环形反应室和气体裂解热丝、气体进排放锥面窄缝通气腔、行星轮系、用于放置基体的基体安装架装置、上…… 查看详细 >
技术简介: 碳/碳复合材料平板的快速化学气相渗制备方法(专利号200810143540.X),包括下述步骤:1)在化学气相渗碳炉中,垂直于炉底设置一平板发热体;2)在平板发热体两侧各设置一固定承台,在每一个承台…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种切削不锈钢用的PVD纳米多层涂层及其制备方法(专利号200710036185.1),具体制作工艺如下:(A)将硬质合金基体做表面清洁处理;(B)接着在真空条件下,采用多靶磁控溅射方法在旋…… 查看详细 >
一种在镁基复合材料表面制备Ti/TiO2或TiN生物相容性膜层的方法
技术简介: 本发明公开了一种在镁基复合材料表面获得Ti/TiO2或TiN膜层的方法(专利号201310169315.4),该膜层具有良好的生物相容性,与镁基体材料结合紧密,可以阻止或延缓镁基体材料在体液中的腐蚀。如果…… 查看详细 >
技术简介: 本发明描述了一种铟锡氧化物靶材的制备方法(专利号201210424320.0)。该方法以纯度大于99.99%、平均粒径0.02~2微米的铟锡氧化物粉末作为主原料,与由纯水、水溶性环氧树脂和分散剂制成的预混液…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种提高Mg2Ni型贮氢合金电化学性能的方法及装置(专利号201210591982.7),所用合金成分为Mg2Ni1-xMnx(x=0~0.2)。该方法主要包括如下步骤:用感应熔炼法制备Mg2Ni1-xMnx(x=0~0.2)…… 查看详细 >
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