[00011940]一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法
联系人： 谭平凡
所在地：湖南 长沙市
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技术详细介绍
本发明公开了一种含有孔隙结构C/SiC涂层及其制备方法（专利号201310229037.7），所制备的C/SiC涂层材料与基体结合紧密，分为典型的三区结构：界面结合区、孔隙过渡区和外层致密区，涂层的致密外层和界面层之间的区域分布许多直径在3-20μm的孔隙。本发明的制备工艺是在自行设计的“狭缝式”沉积室内，控制狭缝尺寸在2-8mm，以MTS作为SiC源气体，以H2作为MTS的载气，H2和Ar作调节气体，制备含直径在3-20μm孔隙结构的C/SiC涂层。大流量负压快速沉积工艺，利用反应气体迅速通过狭缝气道沉积。本发明制备的含有孔隙结构C/SiC涂层提高涂层和基体材料结合强度，极大程度上缓解了由于热应力引起的涂层裂纹，大大改善了涂层的使用性能。同时克服了普通工艺气相制备涂层周期长、尺寸受限的问题。
