大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法

技术简介： 本发明提供大功率LED多层梯度材料散热通道的构造方法，其构造步骤为：1)制备GaN基LED芯片：对GaN基LED外延片进行干法刻蚀，形成L型，露出N-GaN层台面；在P-GaN层表面蒸发一层铟锡氧化物电流扩展…… 查看详细 >

集成压电可动微透镜增强型锥形亚波长近场光探针阵列

技术简介： 本发明提供一种集成压电可动微透镜增强型锥形亚波长近场光探针阵列，由集成压电可动微透镜和带金属沟槽结构的锥形亚波长通光孔阵列组成，在减薄的SOI衬底上制作有锥形孔，锥形孔内表面及周围都…… 查看详细 >

基于仿生与生物特征别的考试者身份鉴定系统

技术简介： 本发明公开了一种基于仿生与生物特征识别的考试者身份鉴定系统，综合运用基于高维空间几何形体自适应覆盖理论的各种生物特征识别方法来实现对考试者身份的鉴定。首先通过采集设备获取考试者的握…… 查看详细 >

肖特基型室温核辐射探测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别…… 查看详细 >

一种PIN型室温核辐射探测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种PIN型室温核辐射探测器，包括GaN衬底、n型掺杂层、p型掺杂层和两个接触电极，其特征在于：所述GaN衬底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述n型掺杂层为掺杂硅的GaN薄膜，制…… 查看详细 >

硅基高效多结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种硅基高效多结太阳电池，包括一顶层子电池、一中间子电池和一底层子电池，各子电池间经隧道结连接构成串联连接结构，其特征在于：所述底层子电池是Si的PN结电池，所述中间子电池…… 查看详细 >

一种测试双面芯片光电性能的方法及组件

技术简介： 本发明公开了一种测试双面芯片光电性能的组件，包括一待测双面芯片，待测双面芯片的一面设有受光位置，另一面布有引脚，该组件还包括一玻璃基板和一印刷电路板，所述印刷电路板上设有通孔，所述…… 查看详细 >

一种复合涂层材料及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种复合涂层材料，包括基材层和喷涂在基材层表面的复合涂层，所述复合涂层包括采用超音速喷涂工艺将高聚物喷涂在基材表面而形成的高聚物缓冲层，和采用超音速喷涂工艺将非有机材料…… 查看详细 >

纳米复合陶瓷反应釜及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种纳米复合陶瓷反应釜，包括基体及涂覆其上涂层，其特征在于：所述反应涂层采用无机材料，涂层材料的熔点在1000℃至2800℃之间，所述反应釜内表面保护涂层通过超音速火焰喷涂方法…… 查看详细 >

一种用于释放应力的多孔缓冲层制备方法

技术简介： 本发明公开了一种属于薄膜制备领域的多孔缓冲层生长方法，其特征在于使用金属合金制备多孔缓冲层，该法包括：利用薄膜沉积设备，在单晶衬底上沉积金属合金薄层，继而形成氮化物多孔掩膜层；在该…… 查看详细 >

TiO2纳米管和/或TiO2纳米须的制造方法

技术简介： 一种TiO2纳米管和/或TiO2纳米须的制造方法，包括如下步骤：(1)将TiO2粉末溶于pH为12～14的NaOH或KOH溶液，其中TiO2与NaOH或KOH的重量比为1∶30～1∶150；(2)用超声波粉碎仪对步骤(1)得到的溶液…… 查看详细 >

用于外延生长的原位应力光学监控装置

技术简介： 本实用新型公开了一种用于外延生长的原位应力光学监控装置包括激光器、激光分束器、图像采集设备、控制系统以及构成相应光路的光学元件，其中，所述光路为，所述激光器发出的激光束经激光分束器…… 查看详细 >