技术简介: 一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法,包括如下步骤:提供一LED结构,所述LED结构包括衬底及其表面的器件层;提供一激发光,聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上,同时激发得到衬底…… 查看详细 >
技术简介: 一种石墨烯的生长方法,包括如下步骤:提供III族氮化物衬底;将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域;向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体;加热III族氮化物衬底;向III族氮化物衬…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种基于发光检测用的电化学流通池及其系统,其中流通池主要包括固定电极芯片的基底、带有电解槽腔的基块以及连接并锁紧基底和基块的锁紧部件。其中带有电解槽腔的基块上加工有提供…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种用于检测器件封装水氧渗透指标的方法及其检测装置。首先制备一镀有活泼金属层的石英晶振片;再将石英晶振片在隔绝空气的情况下转移到测试盒之中并用器件封装相同的封装结构及方…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种用于复合极棒电化水处理装置的电极结构,该电极结构包含一管状主体,在该管状主体内沿管路方向贯穿设置一个线性阳极,且管状主体的内壁上沿轴向依次设置多于一个的环状阴极,…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种单频太赫兹(THz)光源,以宽频THz光源为基本结构,所述宽频THz光源为利用沟道和栅极间的电子场发射以激发沟道中的等离子体波产生THz波辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管,其特征…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种电子束光刻加工圆形规则阵列的方法。旨在减小加工弧形线条时的数据量,从而缩短数据处理的时间。本发明充分利用了高斯型束斑矢量扫描式电子束光刻机的工作模式特点,通过设置特定…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种宽光谱广角抗反射高分子纳米仿生膜及其制备方法。该高分子膜的构筑单元为三维渐变纳米突起阵列和/或孔道阵列结构,该三维渐变纳米突起阵列和/或孔道结构是分别由复数个尺寸均匀…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种能连续调控太赫兹波偏振状态的太赫兹波准光学器件,即太赫兹偏振调节器,其能高速、精确、连续调制太赫兹波的偏振状态,可以广泛适用于太赫兹技术研究、新材料研究、环境检测和…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种新颖的、具有高发光效率且颜色饱和的红色磷光铱化合物,以及基于该化合物掺杂的有机发光二极管器件。该OLED器件为从衬底上依次包括透明导电膜、空穴传输层、发光层、空穴-激子…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种微流控细胞悬浮培养芯片。该芯片包括一个以上培养单元,每一培养单元包括一基体,该基体包括分别分布于层叠设置的若干培养层上的培养沟道,该等培养沟道彼此连通形成一闭合回路…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种场效应晶体管手性传感器及其制备方法。该手性传感器利用场效应晶体管的结构,包括基底、栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极,其特征在于:所述有源层为具有手性识别与检…… 查看详细 >
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