技术简介: 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器,包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口,用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内,其特点…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种微流控微生物二维悬浮培养芯片,包括一个以上培养单元,每一培养单元包括层叠的培养层、弹性隔膜层和驱动层;该培养层上分布有环形闭合培养沟道回路,该回路与设置在芯片上的进…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法,该手性传感器利用场效应晶体管的结构,其有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜,该有源层组分上可以是经过手性分子修饰的…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种利用石墨烯片与趋磁细菌三维复合物吸附重金属的方法。该方法为:取石墨烯片与趋磁细菌于液相体系中充分混合,形成石墨烯片-趋磁细菌三维复合物,而后将该石墨烯片-趋磁细菌三维…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种利用石英晶体微天平筛选端粒酶抑制剂的方法,该方法为:一、芯片表面羧基功能化;二、芯片表面活化;三、芯片表面固定端粒酶引物;四、将固定有引物的芯片装入石英晶体微天平的…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种利用石英晶体微天平检测DNA甲基化的方法,该方法为:一、酶切消化待检测的DNA;二、PCR扩增;三、制备固定有探针分子的QCM芯片;四、将芯片用6-巯基-1-己醇孵育;五、将芯片装…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种蓝宝石基新型倒装结构,其特征在于:包括n电极导电转移基板、蓝宝石基光电器件基础芯片、引线及绝缘填充材料,其中用于与蓝宝石基光电器件基础芯片的n电极及电源分别相连的电极…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法,利用晶片键合的方法,将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成,充分利用Ge电池,既直接作为四结电…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种肺癌细胞特异靶向多肽、其制备方法及应用。该肺癌细胞特异靶向多肽具有如SEQIDNO.1所示的氨基酸序列,它是通过细菌随机多肽库体外展示方法和流式细胞分选方法在人肺癌细胞表面…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用,该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种掺入石墨烯的锂离子电池正极材料的制备方法,其中正极材料的主要成分为磷酸铁锂纳米粒子,其包括以下特征步骤:首先分别制备石墨烯、氧化石墨烯、插层石墨烯,然后将石墨烯、氧…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种由四氧化三铁纳米颗粒一步制备磁性空心团簇的方法。该方法为:将油溶性四氧化三铁纳米颗粒与具有活性官能团的表面修饰剂在室温下均匀混合在三液相组成的微乳体系中进行反应,形…… 查看详细 >
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