技术简介: 本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法,原料为高纯度氧化铌粉末,其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成:氧化铌粉末预处理;真空热压;靶材的机械加工。其中,真空热压的工艺条…… 查看详细 >
技术简介: 一种碳化硅结合氮化硅糊料,由如下原料按重量比组成:18%~20%高质密碳化硅、12%~15%高强度氮化硅、35%~53%电煅无烟煤、7%~14%高纯石墨碎、6%~11%残阳极、13%~15%粘结剂,本发…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种高硅硅锰合金冶炼工艺,其特征在于,本冶炼工艺各原料成分比为:南非锰矿35%,澳洲锰矿25%,熟料25%,中铁矿15%,所述原料准备包括南非锰矿制备、澳洲锰矿制备、熟料制备、…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提出一种的利用碳化硅炉用变压器和与其匹配的电阻炉获取煤系石墨的方法,包括装炉、石墨化的步骤,其中装炉时电阻料为精洗太西无烟煤与低硫石油焦的混合物,本发明中,在利用已经淘汰的碳…… 查看详细 >
技术简介: 本申请提供的钽及钽钨回收料制备钽二点五钨合金铸锭的方法,利用钽或钽钨合金加工过程产生的边角回收料,通过对以上回收料进行酸/水洗、氢化、脱氢、磨筛,制备出-200目的钽粉或钽钨合金粉,经…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种碳化硅复合材料在电石炉流口上的应用,涉及电石炉技术领域。本发明电石炉流口由碳化硅复合材料制成的炉口砖料砌筑而成;碳化硅复合材料由以下重量份的原料组成:工业碳化硅105-…… 查看详细 >
技术简介: 本发明属于冶金领域,具体涉及中钒铁的冶炼方法,所述中钒铁的冶炼方法,先以铝粒、V2O5为底料,该反应剧烈,很快在炉膛底部形成熔池,当反应平稳后,即向炉内连续加入V2O5和V2O3为主的混合物料…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种利用工业废弃物生产的环保砖及其装置,包括:原料仓、称重计量装置、混料皮带、搅拌装置、消解陈化装置、轮碾机、压制成型机、蒸压养护装置,称重计量装置的下方设置有混料皮带…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种以氧化铟-氧化锡混合粉为原料的高世代液晶面板用ITO溅射靶的制造方法,尤其是一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法。其特点是,包括如下步骤:(1)将经过热处理的氧化铟与氧化锡…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种钠还原氟钽酸钾产物的水洗方法及装置,该水洗方法是将钠还原氟钽酸钾得到的凝结快经过破碎,先进行滤洗水洗,然后搅拌水洗,酸洗,烘干得到钽粉原粉。这样得到的钽粉具有高纯度及…… 查看详细 >
技术简介: 一种高纯硫酸锰焙烧制备电池级四氧化三锰及附产硫酸的方法,用20%的稀硫酸洗涤低品位硅锰合金除尘灰,除渣后得到硫酸盐溶液,调节硫酸盐溶液中硫酸钙、硫酸铝、硫酸镁的浓度,以使硫酸钙、硫酸…… 查看详细 >
技术简介: 一种氮化铝电子陶瓷粉末的制备方法,该方法包括步骤:S1、原料混合,将氧化铝粉与金属铝粉相互混合;S2、惰性环境烧结,将混合粉末烧结;S3、将氧化铝多重氧化物粉末与碳粉混合、烧结;S4、除碳…… 查看详细 >
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