[00080623]一种电石渣基纳米多孔硅酸钙的制备方法
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所在地：宁夏回族自治区 石嘴山
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技术详细介绍
本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法，原料为高纯度氧化铌粉末，其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成：氧化铌粉末预处理；真空热压；靶材的机械加工。其中，真空热压的工艺条件为：在真空条件下，1150～1300℃保温，2～4h，保压压力10-12MPa。按本发明制备的氧化铌靶材，其密度达到4.50g/cm3以上。
