[00080659]高密度氧化铌溅射靶材的制备方法
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所在地：宁夏回族自治区 石嘴山
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技术详细介绍
本发明涉及一种以氧化铟-氧化锡混合粉为原料的高世代液晶面板用ITO溅射靶的制造方法，尤其是一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将经过热处理的氧化铟与氧化锡粉末混合；(2)加入去离子水和分散剂，调成浆料后进行球磨、混料；(3)加入粘结剂和保湿剂湿式球磨；(4)加入消泡剂搅拌后真空脱泡，静置后调节；(5)然后将浆料浇注成型；(6)将成型体干燥后脱脂；(7)脱脂后的成型体进行烧结制得ITO溅射靶。本发明制备的靶材内In4Sn3O12相分布在In2O3三晶粒的交汇处，该相的存在一定程度上提高了ITO靶材的密度和表面粗糙度可有效降低ITO靶材的溅射结瘤行为。
