技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路,包括一单电子晶体管SET及一PMOS管,所述的PMOS管的源极与SET的源极相连,SET的栅极则与PMOS管的漏极相连,…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的7-3计数器,包括一个七输入阈值逻辑门、一个八输入阈值逻辑门和一个九输入阈值逻辑门;该电路仅由3个阈值逻辑门和2…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种基于SET/MOS混合结构的二进制码-格雷码转换器,其包括四信号输入端以及三个二输入SET/MOS混合电路,仅消耗3个PMOS管,3个NMOS管和3个SET。整个电路…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种基于SET/MOS混合结构的8-3编码器,包括第一至八信号源以及第一、二、三四输入的SET/MOS混合电路;仅用了3个PMOS管,3个NMOS管和3个SET,HSPICE的仿…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元,包括第一、二、三、四信号源、四输入阈值逻辑门、五输入阈值逻辑门以及一反相器;其共消耗3个PMOS管,3个…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的加法器,其仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成,共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和3个SET。输入输出电压间具有较好的兼容…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种由纳米器件组成的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元。其由一个四输入的SET/MOS混合电路和第一、二反相器构成,所述的第一、二反相器的输出端…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元,其特征在于:包括一NMOS管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS电路;该NDR…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构2位乘法器仅由5个阈值逻辑门,1个反相器和1个异或门构成,共消耗7个PMOS管,7个NMOS管和6个SET。整个电路的平均功耗…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的2:1复用器,该复用器电路仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成,共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和3个SET,其输入输出电压间具有较好的兼容性,输出…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种公交位置监测报告系统,包括设于公交上的车载终端,设于站台上的公交站牌系统和远程数据中心服务器,其特征在于:所述车载终端包括有源RFID电子标签、CPU和电源管理模块,所…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种基于NiosII系统的SOPC开发平台,其特征在于:包括核心板和接口板,所述核心板上设有支持NiosII软核处理器的FPGA芯片、SDRAM、FLASH、JTGA下载接口、ASP下载接口、有源晶体和…… 查看详细 >
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