[00030177]基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元
联系人： 郭老师
所在地：福建 福州市
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技术详细介绍
本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元，其特征在于：包括一NMOS管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS电路；该NDR电路和该SET-MOS电路串联，所述的NMOS管的漏极连接至该NDR电路和该SET-MOS电路之间。该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现存储的功能。本实用新型采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。
