垂直磁性记录介质及垂直磁性记录和再现装置

技术简介： 本发明公开了一种垂直磁性记录介质,其能够实现信息的高密度记录和再现,及其制造过程,以及磁性记录和再现装置。所提供的垂直磁性记录介质至少具有软磁性底层和位于盘形非磁性基底上的垂直磁性记…… 查看详细 >

电介质膜及其形成方法

技术简介： 一种电介质膜,通过使处于SI3≡N结合状态的N以3原子%以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上,并以0.1原子%以下的浓度存在于界面侧上,可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用AR/N2游离基氮…… 查看详细 >

基于DSP的微型燃机发电励磁控制和保护装置及方法

技术简介： 基于DSP的微型燃机发电励磁控制和保护装置及方法,该装置包括DSP最小系统、电源模块、开关量输入输出光电隔离模块、模拟量输入通道、串行接口电路、倍频电路、整形电路、电压检测变压器电路、电…… 查看详细 >

使用非线性状态空间投影方法的非线性信号分离方法

技术简介： 本发明提供了一种使用非线性状态空间投影方法的非线性信号分离方法,当信号是多信道信号并且具有周期性时,通过执行时域高速非线性状态空间投影,该方法能够有效分离非线性信号。在使用非线性状态…… 查看详细 >

管理方法及管理装置

技术简介： 本发明提供一种管理方法,该方法是针对通过多道生产工序生产电子器件的被管理生产线,管理各道生产工序中使用的各个生产装置的管理方法;具有:基准特性取得阶段,其取得基准器件的特性,该基准器件通…… 查看详细 >

簇射极板及采用该簇射极板的等离子体处理装置

技术简介： 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板,是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31),配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成,该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置,对于原料气体具…… 查看详细 >

等离子体处理装置、天线和等离子体处理装置的使用方法

技术简介： 本发明提供等离子体处理装置、天线和等离子体处理装置的使用方法。等离子体处理装置(10)包括:处理容器(100);输出微波的微波源(900);传送微波的同轴管的内部导体(315A);具有贯通孔(305A),使内部…… 查看详细 >

成膜及电子设备或有机电致发光元件的制造方法

技术简介： 本发明提供一种半导体装置的制造方法,其中,为了不向半导体表面照射光而进行遮光并同时利用液体进行表面处理。本发明如果用于半导体表面的清洗、蚀刻、显影等湿式制程(WETPROCESS)的表面处理,则…… 查看详细 >

2G/3G数字直放站

技术简介： 项目采用软件无线电的设计思想，设计了一套支持多载波分集接收的数字化、开放化、高效率的新一代GSM和WCDMA数字直放站解决方案，并完成了中频模块的设计与FPGA实现。该技术和产品可广泛应用于２…… 查看详细 >

从硅矿直接生产低硼3N多晶硅

技术简介： 以硅矿石为原料改进现有工业硅生产的设备和工艺，直接生产低硼（2－5ppmwt）的3N多晶硅，为用物理冶金法进一步提纯提供高质量的上游原料，可提高产值1倍以上是我国工业硅产业产品升级增加产值的…… 查看详细 >

工业硅的湿法提纯工艺及其产业化

技术简介： 采用粉碎、酸洗、氧化的湿法工艺，可将1N～2N的工业硅提纯到4N高纯多晶硅，为太阳能级多晶硅提供高质量的原料，可创产值约10～20倍（2N工业硅单价～1$/Kg,4N多晶硅单价10～20$/Kg）。2007年10月…… 查看详细 >

低成本、太阳能级多晶硅的研制

技术简介： 用物理冶金法将2N的工业硅提纯到太阳能级高纯柱状多晶硅，切片后直接用于低成本晶体硅太阳电池的制备。主要采用造渣、真空电磁熔炼、真空铸锭生长等技术。已完成5－10公斤级的中试，磷、硼都在1…… 查看详细 >