一种固体表面修饰空气稳定性磷脂膜的方法

技术简介： 本发明涉及表面化学及应用化学领域，具体地，本发明涉及一种固体表面修饰空气稳定性磷脂膜的方法。根据本发明的方法包括：1)制备聚乙二醇(PEG)化磷脂分子的小单壁磷脂囊泡溶液，其中PEG化磷脂分…… 查看详细 >

绝缘体上的硅材料上加工纳米图形的电子束曝光方法

技术简介： 本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法，其特征步骤依次包括：对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光；对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层；对底…… 查看详细 >

对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法

技术简介： 本发明公开了一种对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，先对SOI衬底的底层Si进行厚度削减及抛光；再在其顶层Si生长薄膜金属；并对其正反面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻…… 查看详细 >

基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途

技术简介： 本发明公开了一种基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途，通过在对透射光透明的衬底材料上形成光子晶体，且设计该光子晶体的禁带和介质带，分别选择性地适配于高频段、中频段及低频段的入射…… 查看详细 >

一种真空原子力显微镜及其工作方式

技术简介： 本发明公开了一种真空原子力显微镜及其使用方法，属于微观形貌检测设备领域，其包括电子束发射装置、二次电子探测器、带悬臂梁的探针、压电陶瓷扫描器和反馈控制器。工作时，将电子束照射于探针…… 查看详细 >

一种PN型核电池及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种PN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-p型GaN掺杂层结构的PN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应…… 查看详细 >

一种PIN型核电池及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种PIN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘层-p型GaN掺杂层结构的PIN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射…… 查看详细 >

肖特基型核电池及其制备方法

技术简介： 本发明公开了肖特基型核电池及其制备方法，通过一次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘GaN掺杂层结构的肖特基型器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生…… 查看详细 >

用于辐射计量的光释光剂量元件及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种用于辐射计量的光释光剂量元件及其制备方法，通过两次MOCVD外延(第一次外延：α-Al 查看详细 >