[00034199]肖特基型核电池及其制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了肖特基型核电池及其制备方法，通过一次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘GaN掺杂层结构的肖特基型器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应的接触电极，制备形成基本的电池器件，并将同位素耦合到肖特基接触电极上，封装制备完成核电池。由于核电池的寿命取决于同位素的半衰期，故而本发明可以灵活使用防护简单的同位素种类(纯β同位素)，大大提高了核电池的能量转换效率和能量密度(能量容积)，延长了核电池的使用寿命，同时也为核废料变废为宝、合理利用创造了有效途径。
