[00034192]绝缘体上的硅材料上加工纳米图形的电子束曝光方法
联系人： 王老师
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技术详细介绍
本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法，其特征步骤依次包括：对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光；对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻蚀，形成刻蚀窗口，并进一步刻蚀至埋层SiO
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