技术简介: LED驱动电源是LED照明灯具的关键所在,它就好比一个人的心脏,要制造出高品质的LED照明灯具,就必须在恒流驱动模块的研发上下足功夫。目前有部分LED灯具企业为降低生产成本,采用阻、容降压,然…… 查看详细 >
技术简介: 拥有专利技术保护的“大功率LED灯散热降温技术”,将先进的制冷技术应用于大功率LED照明系统,采用制冷器主动强制降温,可以将LED工作温度降至40℃以下,最大限度地提高大功率LED发光效率。专利…… 查看详细 >
技术简介: 无所不在的电磁波形形色色,而天线的式样只有那么简单的几种,相信不是所有的人都感到满足。只不过天线的性能取决于它的形状和电流分布,而电流分布与空间电磁场的关系服从麦克斯韦方程组,用麦…… 查看详细 >
技术简介: 无速度传感器控制在轨道牵引传动中的应用必须解决许多理论和技术上的难题。转速是异步电机动态模型中一个非常关键的参数,高性能的交流传动控制方法需要转速信号进行准确的磁链计算,磁场定向控…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及半导体光电子器件领域,特别是GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、低温缓冲层及p型层,其特点是p型层为空穴浓度为2×1018~6×101…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层,所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及半导体光电子器件领域,特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层,其特点是p型层…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法,包括:在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻,或者直接将成品光敏电阻焊接在基板…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种高亮度发光晶体管,包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管,包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p-型基区层,与p…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及微弱光电信息处理技术中专门针对光子信息的基于可编程逻辑的光子计数器,主要由脉冲放大电路、脉冲甄别电路、脉冲整形电路、计数门控制电路和光子计数电路构成。脉冲放大、甄别和整形…… 查看详细 >
技术简介: 我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”,于1995年通过省级鉴定,达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上,而且可开发许多新用途。最典型的例子是…… 查看详细 >
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