[00044375]薄膜型锑铟（ImSb）磁阻元件及传感器
联系人： 许恩平
所在地：广东 广州市
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技术详细介绍
我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”，于1995年通过省级鉴定，达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上，而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号，这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位，半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品：磁阻元件芯片。薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏电流传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。
