技术简介： 本发明提供一种半导体装置,为了使构成CMOS电路的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的动作速度实质上相同,对N型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造,对P型MOS晶体管采取仅在(... 查看详细 >
技术简介： 一种制造树脂的微型机器部件的方法,该方法包括以下步骤:(A)在基片上形成一层牺牲层;(B)在所述牺牲层上顺序形成至少两层光敏树脂组合物层,并对形成的各光敏树脂组合物层进行光刻,形成限定微型机... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种流量范围可变型流量控制装置,通过一台流量控制装置也能对较广的流量区域的流体进行高精度的流量控制,从而可实现流量控制装置的小型化和设备费用的降低。具体而言,在使用节流孔上... 查看详细 >
技术简介： 本发明的目的在于,在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质,通过溶剂热法进行结晶生长,从而控制结晶的析出位置,提高结晶的收率,此外,防止在结晶中混入杂质,从而使结晶高纯度化。本发... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及铝、镁合金及其复合材料连续凝固与成形一体化的装置,由电机、减速机、弹性连轴器、主机、机架构成,特征是主机主要由水冷轮系,固定靴座,装配在型腔中的模具,液压驱动保压装置及设置在... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种碳化硼复合材料的制备方法,特征是步骤如下:按质量百分数计取金属氧化物粉末5～50%,余量为碳化硼粉末,混合配料,在100～150MPA下模压成预制坯;然后将预制坯置于真空烧结炉中,抽真空... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及用固态质子导体对铝或铝合金熔体脱氢的方法及其装置,该装置包括熔铝槽、加热炉、温控热电偶、测氢传感器,要点是抽氢装置由质子导体管、刚玉管和金属管相互连接,其内装配一根电极引线... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种低碳9NI钢厚板的制造方法,步骤是:炼钢:按重量百分比计其成分为:C0.02～0.04%,SI0.2～0.3%,MN0.4～0.7%,S≤0.005%,P≤0.01%,NI8.9～9.5%,余量为FE和杂质,进行炼钢;红送:钢水浇注,... 查看详细 >
技术简介： 现在,迅速且经济性地提供大型的陶瓷构件处于困难的状况。通过在比较容易制作的材料上形成的基材上形成陶瓷膜,构成多层构造体。陶瓷膜可以通过等离子体熔射、CVD、PVD或者溶胶-凝胶法等方法制成,... 查看详细 >
技术简介： 提供一种使抑制反应生成物堆积到半导体或平板显示器制造装置等的处理室内壁等上、因内壁等的腐蚀造成的金属污染、放出气体造成的工艺不稳定性等多个工艺成为可能的多功能制造装置系统及用于该系... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种金属间化合物的制备方法,特征是以铁箔、镍箔或钛箔和铝箔为原料,按如下步骤进行:选择原料箔材及厚度;对原料进行除油、除脂和表面活化处理;处理后的箔材进行交替层叠,制成轧制坯料... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种纳米级晶体镍材料及其制备方法,要点是采用电沉积制备技术加上超声波连续搅拌技术,电解液由NISO4盐,加配去离子水,再加由NICL2和NACL水溶液组成的添加剂组成,电解液PH值为3.8～4.2;... 查看详细 >
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