技术简介： 本发明公开了一种侧边发射半导体发光器件、背光模组及面发光光源。该侧边发射半导体发光器件包括至少一半导体发光元件，该发光元件至少具有发光层，该发光层与一导光元件平行设置，并且该发光元... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种荧光量子点/纳米金属颗粒偶联物、其制备方法、含有该偶联物的组合物和试剂盒及其在检测目标物尤其是金属离子中的用途。 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型有机半导体材料、其制备方法及应用。该有机半导体材料具有如下结构式：其制备方法包括：以萘或含有萘结构的衍生物作为起始原料，依次经1，5位官能化反应，再通过与芳香基团... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.01... 查看详细 >
技术简介： 一种高效传热纳米铜材及其制备方法。该铜材表面覆设有超薄超润湿的纳米或微纳复合多孔镍膜，该纳米多孔镍膜包含主要由镍纳米花簇构成的多孔结构，该微纳复合多孔镍膜包括主要由镍的微米或纳米三... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的... 查看详细 >
技术简介： 一种核壳型聚合物-纳米硫颗粒复合材料的制备方法，用以制备主要由聚合物壳层和纳米硫颗粒内核组成的复合材料，包括如下步骤：（1）将硫和表面活性剂分别溶于第一、第二溶剂中形成硫溶液和表面活... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用去氟交联反应增强碳纳米管纤维的方法，包括：将碳纳米管纤维氟化后，再于去氟反应溶液中充分浸渍，直至完成去氟反应，所述去氟反应溶液包含给电子体试剂和有机溶剂；或者，... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括：取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合，并加入水混合均匀，常温静置24h～48h，再分离出固形物，经乙腈等清洗后获得... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种盖帽表面粗化结构的光电器件，包括一个以上光电器件芯片，所述光电器件芯片固定在封装基板上，其中，所述光电器件表面还覆设具有非平整结构的涂覆层。进一步的，所述光电器件芯... 查看详细 >
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