太阳能电池及其制作方法

技术简介： 本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电... 查看详细 >

四结级联太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，所述GaAs衬底具有双面生长结构；所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP... 查看详细 >

Si衬底的四结级联太阳能电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是指一种四结级联太阳能电池，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池，使所述InGa... 查看详细 >

Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法

技术简介： 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、... 查看详细 >

三结级联太阳能电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是几种三结级联太阳能电池，其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs衬底底部设有下欧姆电... 查看详细 >

太阳能电池结构及其制备方法

技术简介： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种设有石墨烯/金属纳米颗粒复合电极的太阳能电池，其从下至上依次包括衬底、电池层及顶电池窗口层，还包括分散在所述顶电池窗口层表面、并与所述顶电池窗口... 查看详细 >

四结级联太阳电池的制作方法

技术简介： 本发明公开了一种四结级联太阳电池的制作方法，采用InP作为支撑衬底，首先在InP衬底上制备与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池；然后在InGaAsP/InGaAs双结电池上制备一InP键合层，并在所述In... 查看详细 >

三结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、In... 查看详细 >

三结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池... 查看详细 >

一种三结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs... 查看详细 >

一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法

技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池... 查看详细 >

一种三结级联太阳能电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、... 查看详细 >