交易价格: 面议
所属行业: 太阳能
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:201310172395.9
交易方式: 许可转让
联系人: 王老师
所在地:江苏 苏州市
本发明涉及一种三结太阳电池,其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作,与GaAs衬底晶格匹配,本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法,本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺,提高了电池效率,降低了生产成本。
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