自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法。该薄膜由聚3，4-乙撑二氧噻吩和小分子掺杂剂构成；其制备方法为：在经亲水处理后的基片表面上涂覆含氧化剂和碱抑制剂的溶液形成有氧化... 查看详细 >

一种分子印迹聚合物薄膜及其制法与应用

技术简介： 本发明揭示了一种用于金属离子检测的分子印迹聚合物，其印迹和洗脱对象均为金属络合物离子，聚合物的印迹几何尺寸、结合点位与金属络合物离子特异性吻合。在石英微天平和表面等离子共振装置的金... 查看详细 >

交流电泳定向组装碳纳米管阵列传感器件的制作方法

技术简介： 本发明揭示了一种交流电泳电极定向组装碳纳米管阵列传感器件的制作方法，其特征在于包括以下步骤：采用光刻和金属沉积法制作交流电泳金属电极的图形；在交流电泳金属电极上生长石墨烯薄膜；利用... 查看详细 >

快速调换光学镜片的夹持装置

技术简介： 本实用新型涉及一种快速调换光学镜片的夹持装置，包括通过可拆分结构固定配合的固定底座以及光学镜片固定架，所述固定底座通过底座固定机构与光学调整装置固定连接，所述光学镜片固定架上设有用... 查看详细 >

一种单分散近红外量子点的制备方法

技术简介： 本发明揭示了一种单分散近红外量子点的制备方法，利用二乙基二硫代氨基甲酸盐为单源的反应前驱物，通过其在高沸点且具有不同配位特性的表面活性剂的混合溶液中的热解反应，并且选用硫化银作为制... 查看详细 >

金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法

技术简介： 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶... 查看详细 >

分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法

技术简介： 本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga3+的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程... 查看详细 >

压铸铝合金材料及其制备方法

技术简介： 本发明揭示了一种新型高强压铸铝合金材料及其制备方法，该铝合金材料以铝为基体，并含有硅、铜、锰、钛等元素，各元素的含量(质量比)分别为：Si：10-12％，Mn：0.5-1.0％，Cu：0.5-3.0％，Ti：0... 查看详细 >

叠层亚波长减反结构及其制备方法

技术简介： 本发明揭示了一种叠层亚波长减反结构，包括在需要减反的高折射率材料自身表面通过蚀刻形成的亚波长图形，以及在前述亚波长图形表面经沉积生长的介质层，二者共同构成该叠层亚波长结构，其结构图... 查看详细 >

石英晶体微天平的谐振频率的跟踪测试系统及其方法

技术简介： 本发明公开了一种石英晶体微天平的谐振频率的跟踪测试系统及其方法，该跟踪测试系统包括模拟电路测试网络，其特征在于，所述的跟踪测试系统还包括：数字频率合成器，同源倍频信号生成模块，用于... 查看详细 >

磁性氧化硅球及其合成方法

技术简介： 本发明揭示了一种磁性氧化硅球及其合成方法，该磁性氧化硅球为三层核壳结构，自内而外包括氧化硅球、磁性纳米颗粒、氧化硅壳层；磁性氧化硅球尺寸的调控范围介于50nm～5μm。其合成方法是：将预... 查看详细 >

碳纳米管陈列有机污染物传感器及用途

技术简介： 本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途，先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列；继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金... 查看详细 >