[00034174]分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法
交易价格:
面议
所属行业:
纳米及超细材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:201010017135
交易方式:
完全转让
联系人:
王老师
所在地:江苏 苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法,在生长过程中掺杂稀土离子,取代部分Ga3+的晶格格位,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝,在生长过程中所述III族元素硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格,调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差;所述原料配方摩尔比例为:Ga∶Re∶A=(1-x-y)∶x∶y,其中Re表示稀土金属,A表示III族元素硼或铝,0.1%≤x≤10.0%,0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝和稀土金属按一定配比进行共掺,从而能在很大程度上改善因为Re3+和Ga3+之间较大的半径失配而造成的GaN晶体膜晶格畸变,从而提高GaN晶体膜的发光性能。