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[00034174]分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201010017135

交易方式: 完全转让

联系人: 王老师

所在地:江苏 苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法,在生长过程中掺杂稀土离子,取代部分Ga3+的晶格格位,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝,在生长过程中所述III族元素硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格,调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差;所述原料配方摩尔比例为:Ga∶Re∶A=(1-x-y)∶x∶y,其中Re表示稀土金属,A表示III族元素硼或铝,0.1%≤x≤10.0%,0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝和稀土金属按一定配比进行共掺,从而能在很大程度上改善因为Re3+和Ga3+之间较大的半径失配而造成的GaN晶体膜晶格畸变,从而提高GaN晶体膜的发光性能。

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