技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种多孔GaN材料的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将K2S2O8溶解于去离子水或纯净水中，配制浓度为0.0001mol/L-2mol/L的K2S2O8溶液；步骤S2、在K2S2O8溶液中加入NaOH或KOH，配... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于液晶显示器的背光模组，包括光源、反射膜、楔形膜，棱镜膜和扩束膜，楔形膜包括第一入光面、第一出光面和第二出光面，第一出光面和第二出光面之间的夹角小于等于5°，光源设... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种离子敏传感器，包括上下层叠氧化硅层和硅衬底；间隔设置于所述氧化硅层上的源极、漏极；以及设置于所述源极、漏极之间的氧化硅层表面的石墨烯层，所述石墨烯层分别与所述源极插齿... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种样品架，包括用于承载样品的样品放置架、用于调节样品表面的一选定点与蒸发源距离的距离调节机构、以及用于调节蒸发源的表面法线与蒸发源和样品表面的一选定点的连线之间的夹角... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及电池技术领域，尤其提供一种硫-石墨烯复合结构的锂硫电池正极材料制备方法，包括如下步骤：将硫粉与有机胺混合，配成第一分散液，所述硫与有机胺的质量-体积比为0。05～0。4g∶1mL；... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长InxGa1-xAs1-yNy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种黄杆菌菌株MMR-2，以及具有该菌株的所有鉴定特征的生物学纯培养物，所述黄杆菌菌株的保藏号为CGMCCNo。6872。本发明还涉及一种微生物燃料电池，所述微生物燃料电池中的产电微生物... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及电池技术领域，尤其提供一种有机硅化物修饰的锂硫电池正极材料的制备方法，包括如下步骤：A、取碳粉与浓酸混合，在50～120℃下加热5～120min；然后固液分离，并对获得的第一固体干燥... 查看详细 >
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