技术简介： 本发明公开了一种四结级联太阳电池的制作方法，采用InP作为支撑衬底，首先在InP衬底上制备与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池；然后在InGaAsP/InGaAs双结电池上制备一InP键合层，并在所述In... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括：取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合，并加入水混合均匀，常温静置24h～48h，再分离出固形物，经乙腈等清洗后获得... 查看详细 >
技术简介： 一种氮掺杂石墨烯的制备方法，包括下述步骤：将含碳前驱体和含碳氮前驱体混合物烘干；将烘干后的混合物升温至450℃～600℃，并保温至生成灰色固体；及将上述灰色固体继续升温至700℃～1000℃，... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种盖帽层粗化光电器件的制备方法，包括：提供具有粗化结构的模板，并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合，使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层，而后对有机涂覆... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种盖帽表面粗化结构的光电器件，包括一个以上光电器件芯片，所述光电器件芯片固定在封装基板上，其中，所述光电器件表面还覆设具有非平整结构的涂覆层。进一步的，所述光电器件芯... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤：在导电衬底上沉积电池层；在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案；在上述纳米图案做为掩模的保护下，在电池层的表... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多孔复合碳材料及其应用。该多孔复合碳材料包含0.01wt%～99.9wt%多孔薄层石墨烯和多孔活性炭。进一步的，所述多孔复合碳材料还可包含0.01wt%～20wt%导电剂。该多孔复合碳材料可... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种石墨烯/碳纳米管复合体系的制备方法，包括：取主要由石墨粉末与催化剂前驱体形成的石墨插层物置于适合生长碳纳米管的环境中，直至制得目标产物；所述催化剂前驱体包括能够在高... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种三维石墨烯或其复合体系的制备方法，包括：取过渡金属单质和/或含过渡金属元素的化合物为原料，经过高温还原，制备出三维多孔金属催化剂模板，利用化学气相沉积法生长三维石墨... 查看详细 >
一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备
技术简介： 本发明公开了一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器，包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及微生物技术领域，具体涉及一种红螺菌菌株，所述菌株为H1，其保藏号为CGMCCNo。6869。本发明还提供了一种细菌株系的生物学纯培养物，具有保藏号为CGMCCNo。6869的红螺菌菌株H1的所有鉴... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、In... 查看详细 >
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