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本发明公开了一种盖帽层粗化光电器件的制备方法,包括:提供具有粗化结构的模板,并将所述模板与用以形成光电器件盖帽层的有机涂覆层结合,使模板上的粗化结构转移至有机涂覆层,而后对有机涂覆层进行固化处理,并将模板与有机涂覆层分离,获得具有粗化结构的盖帽层。其中,所述有机涂覆层覆设于光电器件表面。所述粗化结构包括凹陷和/或凸起的规则或不规则图形结构。本发明提供的盖帽层粗化光电器件的制备工艺简单可控,适用于工业生产,且所获粗化结构可调,能有效提升光电器件芯片的正面出光率,增加光电器件芯片整体的取光效率。
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