技术简介: 本发明公开了一种长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器,包括顺次连接的下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其中,所述有源区采用GaNAsBi/GaAs多量子阱结构... 查看详细 >
技术简介: 一种高效传热纳米铜材及其制备方法。该铜材表面覆设有超薄超润湿的纳米或微纳复合多孔镍膜,该纳米多孔镍膜包含主要由镍纳米花簇构成的多孔结构,该微纳复合多孔镍膜包括主要由镍的微米或纳米三... 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括一多量子阱结构,所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP,所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs,所述多量子阱结构的周期数为K,K的... 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及探测器技术领域,尤其是热释电薄膜红外焦平面探测器芯片,其从下至上依次包括衬底、黏合层、绝热支撑结构、下电极、光敏元、上电极和红外吸收层;所述绝热支撑结构包括:隔热层,所述... 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种基于超晶格混沌同步的通讯系统,包括原始信息发生装置、第一混沌信号发生装置、调制装置、解调装置、第二混沌信号发生装置以及原始信息接收装置。第一混沌信号发生装置、第二混沌... 查看详细 >
技术简介: 一种温度连续可调的喷淋头,用于进行金属有机化学沉积反应,包括:进气单元;反应室上盖;连接于进气单元和反应室上盖的喷淋管;其特征在于,还包括:调温盘组件,调温盘组件包括调温盘及分设两... 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种自旋微波振荡器的制备方法,包括如下步骤:在氧化铝模板上制备贯穿所述氧化铝模板正面和背面的通孔,并利用磁控溅射或电子束蒸发在所述氧化铝模板背面制作导电层;采用三电极沉积... 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是提供一种热光伏电池的结构,其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池,所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21~0.73eV。... 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种石英音叉匹配电路,该电路包括:石英音叉电路;与所述石英音叉电路连接的补偿电路,所述补偿电路产生一补偿电容;所述补偿电容的值接近于石英音叉电路产生的寄生电容的值,其相... 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及用于诊断目的的测量技术领域,提供了一种心电图和脉搏波关系分析及在此基础上融合分析的方法和装置。其中心电图和脉搏波关系分析方法包括:步骤S1:对获取的一已知疾病对象的心电图和... 查看详细 >
技术简介: 一种平衡热场分布的超大功率光电器件,包括光电器件芯片,该芯片的外延层包括彼此隔离的若干单胞,该等单胞相互串联或并联,其中至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组,并且该至少一个单胞组... 查看详细 >
技术简介: 一种平衡热场分布的超大功率光电器件,包括光电器件芯片,平衡热场分布的超大功率光电器件的外延层包括彼此隔离的若干单胞,该等单胞相互串联或并联,其中至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞... 查看详细 >
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