技术简介: 本发明揭示了一种交流电泳电极定向组装碳纳米管阵列传感器件的制作方法,其特征在于包括以下步骤:采用光刻和金属沉积法制作交流电泳金属电极的图形;在交流电泳金属电极上生长石墨烯薄膜;利用... 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种背接触型晶体硅太阳能电池,包括硅基底(10)、n型或p型掺杂的多晶硅层(15),在所述n型或p型掺杂的多晶硅层(15)和硅基底(10)之间形成第一钝化层(11)。本发明还提供这种背接触型晶体... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种空间光调制器的驱动电路,基于多量子阱的空间光调制器前向连接有一驱动电路,其特征在于:所述驱动电路包括信号相连的数模转换单元和驱动像素阵列,以及信号连接至两者的控制电... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种快速调换光学镜片的夹持装置,包括通过可拆分结构固定配合的固定底座以及光学镜片固定架,所述固定底座通过底座固定机构与光学调整装置固定连接,所述光学镜片固定架上设有用... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种单分散近红外量子点的制备方法,利用二乙基二硫代氨基甲酸盐为单源的反应前驱物,通过其在高沸点且具有不同配位特性的表面活性剂的混合溶液中的热解反应,并且选用硫化银作为制... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种硅片甩胶装置,包括设置于甩胶盘本体上的用于放置硅片的凹槽,凹槽中设有支撑硅片的凸台,凹槽的边缘设有固定硅片的台阶,凹槽与一真空通道相连通;甩胶盘本体上端面还设置有... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种多角度微调平台,该多角度微调平台包括平台底座以及微调平台;所述平台底座与微调平台之间设有一至少局部表面为球面的连接机构,球面连接机构周围分布有至少三个用于调节平台... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝,在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶... 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种变间距电镀槽套件,包括电镀槽箱体、靶材架和样品架,所述的电镀槽箱体上设置有可精确调节和量测靶材架与样品架之间距离的位置标记;该变间距电镀槽套件通过靶材架和样品架的... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法,在生长过程中掺杂稀土离子,取代部分Ga3+的晶格格位,其特征在于:在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝,在生长过程... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种新型高强压铸铝合金材料及其制备方法,该铝合金材料以铝为基体,并含有硅、铜、锰、钛等元素,各元素的含量(质量比)分别为:Si:10-12%,Mn:0.5-1.0%,Cu:0.5-3.0%,Ti:0... 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种叠层亚波长减反结构,包括在需要减反的高折射率材料自身表面通过蚀刻形成的亚波长图形,以及在前述亚波长图形表面经沉积生长的介质层,二者共同构成该叠层亚波长结构,其结构图... 查看详细 >
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