技术简介： 本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种石墨烯分散液的制备方法，包括步骤：以膨胀石墨压制形成的电极作为阳极、金属或非金属电极材料作为阴极；将所述阳极和阴极置于电解质溶液中，并在所述阳极和阴极之间施加1～20V... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型有机半导体材料、其制备方法及应用。该有机半导体材料具有如下结构式：其制备方法包括：以萘或含有萘结构的衍生物作为起始原料，依次经1，5位官能化反应，再通过与芳香基团... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种二氧杂蒽嵌蒽类含氧稠环化合物的批量化绿色合成方法，包括：将含双羟基的反应原料溶于高沸点溶剂中，并加入固态钯催化剂，而后将反应体系在空气环境中于150-280℃加热回流，反... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法。该传感器包括衬底和盖层，衬底和盖层上分别设有金属平面反射镜和金属微结构层，金属平面反射镜与金属微结构层之间形成有微流通道，且... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种荧光成像系统及其应用。该荧光成像系统包括：荧光激发单元，其产生的光束照射在荧光物质上，使所述荧光物质激发出荧光；滤光片组，对由所述荧光物质激发出的荧光进行过滤，以将非... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡... 查看详细 >
技术简介： 本发明揭示了一种基于场效应晶体管传感器的离子液体痕量H2O的检测方法。该传感器利用场效应晶体管的结构，其中有源层为与待检测离子液体不互溶的N型有机半导体材料。将待检测的离子液体滴到该传... 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种GaN腐蚀液，包括离子液体以及、强酸或强碱，其中离子液体的重量占比为51%~90%，强酸或强碱的重量占比为10%~49%。本发明还公开了GaN腐蚀液制备方法以及GaN腐蚀液对GaN的腐蚀方法... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaNmAs1-m-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为GaNxAs1-x-yBiy，其中m=0.010～0.018，n=0.01... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种基于四面体坐标系的三维图形的变形方法，其包括步骤：输入三维图形；标定四面体的顶点；获得三维图形上的每一个点在四面体中的四面体坐标值；拖动四面体的顶点，以使四面体变形；... 查看详细 >
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