技术简介： 本发明公开了一种基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途，通过在对透射光透明的衬底材料上形成光子晶体，且设计该光子晶体的禁带和介质带，分别选择性地适配于高频段、中频段及低频段的入射... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种真空原子力显微镜及其使用方法，属于微观形貌检测设备领域，其包括电子束发射装置、二次电子探测器、带悬臂梁的探针、压电陶瓷扫描器和反馈控制器。工作时，将电子束照射于探针... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种PN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-p型GaN掺杂层结构的PN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种PIN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘层-p型GaN掺杂层结构的PIN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了肖特基型核电池及其制备方法，通过一次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘GaN掺杂层结构的肖特基型器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生... 查看详细 >
技术简介：
本发明公开了一种用于辐射计量的光释光剂量元件及其制备方法，通过两次MOCVD外延(第一次外延：α-Al
技术简介： 本发明公开了一种编码微球的制备方法，其特征在于包括步骤：在衬底上涂覆牺牲层；进而在其表面生长或沉积制备单层或多层复合的微球材料层；对微球材料层进行光阻涂布、光显影、刻蚀、清洗的半导... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种多通道高灵敏生物传感器的制作集成方法，首先基于SOI硅片采用自上而下方法制作硅纳米线FET场效应管；继而利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作出多微流体通道；最后对不同微流体通道中的... 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及制作方法，传感器包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道，由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，... 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种通过原子力显微镜精确定位测定III族氮化物单晶表面位错类型并统计不同类型位错密度的检测方法，属于半导体材料质检领域。其目的是通过标记检测区域，利用原子力显微镜对标记区... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种具有大面积杀菌除污能力的LED光纤光触媒装置，包括发光二极管、光纤耦合器和侧发光光纤，在侧发光光纤的外缘表面包覆光触媒材料层，侧发光光纤的两端部分别连接一光纤耦合器，每... 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种应用于聚光光伏模组的二次聚光/匀光集成装置，为一梯形的槽式结构，包括上、下两端口及四个梯形的侧壁，上、下两端口敞开，四个梯形的侧壁封闭，在梯形槽的内壁镀有高反膜层；上... 查看详细 >
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