“集成电路互连体系ZrxSiy超薄扩散阻挡层的制备与性能研究” 已通过验收

　　由哈尔滨工程大学承担的省青年科学基金项目“集成电路互连体系ZrxSiy超薄扩散阻挡层的制备与性能研究”日前结题。在该基金项目的支持下，研究了集成电路制造中锆基复合膜扩散阻挡层的材料性质及其作为半导体器件与电路金属化扩散阻挡的性能评价，完成对锆基超薄膜的关键工艺参数进行筛选与优化，提出并深入研究了超薄膜（<3nm）Zr基扩散阻挡层，研究结果表明该阻挡层可在较高的温度下（>800℃）保持非晶状态而有效地阻挡铜的扩散。本项目提出的复合阻挡层结构，可在提高阻挡性能的同时降低接触电阻，为该复合阻挡层结构的实际应用奠定了良好的理论和实验基础。同时，提出高、低真空退火相结合的新思路，在保证阻挡层性能的前提下提高薄膜的抗氧化性，很好地解决电阻率与阻挡性能及电迁徙之间的矛盾。这些重要成果在国际重要期刊上也进行了首次报导。该课题组发表相关SCI收录学术论文10篇，获国家发明专利授权1项，培养博士生1名，硕士生3名。获黑龙江省高校科学技术奖二等奖，项目负责人获第十届黑龙江省青年科技奖。本项目技术适用于半导体器件以及集成电路制造领域，该技术与大规模集成电路制造生产线具有良好的工艺兼容性，无需特殊或昂贵的设备。本项目属于国家积极鼓励发展的半导体集成电路高新技术产品，具有良好的应用前景。