基于先进工艺的大容量动态随机存储器（DRAM）芯片项目通过鉴定、验收

　　2012年3月30日，受山东省科技厅委托，山东信息通信技术研究院管理中心在济南主持召开了由驻院团队山东华芯半导体有限公司承担的山东省自主创新成果转化重大专项“基于先进工艺的大容量动态随机存储器（DRAM）芯片”项目鉴定、验收会。

　　“基于先进工艺的大容量动态随机存储器（DRAM）芯片”项目于2010年立项启动，经过2年多的实施，项目完成合同所承诺的各项任务指标，经费使用情况经财务专家审计，基本符合《山东省自主创新成果转化重大专项项目资金管理办法》，资金使用情况合理。

　　“基于先进工艺的大容量动态随机存储器（DRAM）芯片”项目自主研发了DDR2动态随机存储器（DRAM）芯片，采用65nm浅埋字线技术，兼容JEDEC DDR2标准，容量为1Gbit/2Gbit，数据速率达到800Mbps，部分产品测试数据速率可达到1066Mbps，提供X4、X8、X16等多种工作模式，可用于计算机/服务器模组、电视机/机顶盒、平板电脑等不同系统。

　　鉴定验收委员会听取了课题组的工作报告、技术报告和效益分析报告，进行了现场考察，一致认为该项目自主研发的1Gbit/2Gbit容量的DDR2动态随机存储器（DRAM）芯片设计合理、技术先进，在65nm同工艺条件下功耗和性能达到国际先进水平，具有良好的经济和社会效益，对打破国外垄断、填补国内空白、构建自主可控的国产存储器产业体系具有重要意义，同意通过鉴定验收。