技术简介: 本发明公开了一种纳米复合陶瓷反应釜,包括基体及涂覆其上涂层,其特征在于:所述反应涂层采用无机材料,涂层材料的熔点在1000℃至2800℃之间,所述反应釜内表面保护涂层通过超音速火焰喷涂方法…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种属于薄膜制备领域的多孔缓冲层生长方法,其特征在于使用金属合金制备多孔缓冲层,该法包括:利用薄膜沉积设备,在单晶衬底上沉积金属合金薄层,继而形成氮化物多孔掩膜层;在该…… 查看详细 >
技术简介: 一种TiO2纳米管和/或TiO2纳米须的制造方法,包括如下步骤:(1)将TiO2粉末溶于pH为12~14的NaOH或KOH溶液,其中TiO2与NaOH或KOH的重量比为1∶30~1∶150;(2)用超声波粉碎仪对步骤(1)得到的溶液…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种用于外延生长的原位应力光学监控装置包括激光器、激光分束器、图像采集设备、控制系统以及构成相应光路的光学元件,其中,所述光路为,所述激光器发出的激光束经激光分束器…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种制备三族氮化物衬底的方法,其特征在于,包括下列步骤:(1)在蓝宝石衬底上生长三族氮化物薄膜,薄膜厚度在50纳米到50微米之间;(2)用高能量激光从衬底背面入射辐照,使三族氮化…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种绝缘防电晕多功能薄膜,由云母超细颗粒为主要原料制成,其特征在于:以重量百分比计,其含有下列组份,云母:50~100%,氧化铝:0~50%,氧化锆:0~50%,碳化硅:0~50%,…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种原位合成制备化合物芯片的方法,首先在基底上制备紫外LED发光阵列,所述发光阵列分布与待合成化合物的预设点位一致;然后对紫外LED发光阵列或者其它芯片材料进行表面修饰,在其…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种可抑制化学气相沉积预反应的进气蓬头,包括一本体,所述本体上设置有喷气口,本体边缘处设有冷却水入口和出水口,其特征在于:所述本体内设有冷却水容腔,本体底面均布有至…… 查看详细 >
技术简介: 一种金属合金触变塑性成形的方法,方法为:将金属合金进行等温热处理,得到具有固相分数为85%~93%的半固态坯料,并加工成同模具型腔具有相同体积的坯料,模具预热至200℃~260℃后,在模腔内喷涂…… 查看详细 >
技术简介: 随着微电子技术的飞速发展,印制电路板(PCB)制造向多层化、积层化、功能化和集成化方向迅速发展,印制电路设计大量采用微小孔、窄间距、细导线,使得印制电路板制造技术难度更高,常规的垂直电…… 查看详细 >
技术简介: 我国建筑耗能已占全社会耗能的1/3以上、并呈逐年增加趋势,采用保温建材是降低建筑能耗的主要手段之一。目前外墙保温材料多为B级有机材料,有机材料耐热性能差、易燃烧,燃烧时不仅释放出大量的…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型公开了一种多极型倍增式发电装置,由一个以上倍增式发电单元及混合输入装置、联网供电装置构成。倍增式发电单元由低功耗大扭矩变频调速电机装置、行星齿轮减速器、交流发电机、供电输…… 查看详细 >
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