技术简介: 摘要:本发明公开一种照明通信发光二极管器件,依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极,所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生p型层、电子空穴复合层、电子产…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种具有可调谐功能的平面纳米振荡器,包括绝缘衬底层、二维半导体导电层、绝缘保护层、穿透所述二维半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极、输出电极和覆盖于所述绝缘保护层之上的…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管,包括超晶格势垒层,所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成,所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层,所述铁电层为BiFeO3薄膜,所述铁磁…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法,包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层;所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极,所述发光层包括CH3NH3PbBr3薄膜和镶…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种超宽带圆极化抗金属易于阻抗调节的RFID标签天线,包括辐射贴片、介质基板、接地金属贴片和标签芯片,所述辐射贴片设置在介质基板的上表面,所述接地金属贴片设置在介质基…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种基于Butler矩阵的相控微波能量收集装置,包括能量收集天线、Butler矩阵、第一译码器多路开关、整流电路、第二译码器多路开关、A/D转换器、储能电路和单片机;Butler…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种显示电量的带保护的充电电路,包括电池、保护电路、充电电路,其特征在于:还包括显示电量电路,保护电路、电池、显示电量电路、充电电路依次连接,电源正极与显示电量电…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型涉及一种准超声波控制的多模式智能LED灯,包括:电路板,所述电路板上设置有麦克风,控制电路、以及LED发光元件;所述麦克风输出录取的准超声波音频信号给所述控制电路;所述控…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公一种带隙基准电压源,利用互补温度系数电压产生电路和仅包含负反馈支路的输出主环路代替传统带隙基准电压源中同时包含正、负反馈支路的主环路,从而在对输出主环路中BJT晶体管射…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提出了一种双吸收层PIN结构光伏器件及制备方法。它是在异质结中加入两种具有不同的带隙宽度材料V-Ga:TiO2(1.6eV)和Cu2O(2.0eV)作为光双吸收层,扩展了产生光生载流子的吸收波段…… 查看详细 >
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