用于红外光探测的雪崩光电二极管的二次封装装置

技术简介： 本发明涉及一种用于红外光探测的雪崩光电二极管(简称APD，下同)的二次封装装置，其底座的底部开有一梯级凹槽，底座的上端开有一贯穿底座左右端面的凹槽，凹槽与梯级凹槽相通；梯级凹槽的底部放…… 查看详细 >

一种产生真随机码的装置及其产生真随机码的方法

技术简介： 一种产生真随机码的装置，包括若干个多门限随机码发生器、数据处理器，噪声发生器与每个多门限随机码发生器分别相连，组成若干个随机码发生器单元，每个多门限随机码发生器与数据处理器相连。用…… 查看详细 >

GaN基LED外延片及其制备方法

技术简介： 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、低温缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×1018～6×101…… 查看详细 >

半导体异质结及其发光晶体管

技术简介： 本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层，所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺…… 查看详细 >

位相调制偏振态的量子编码器和解码器及其应用

技术简介： 本发明涉及通信领域中的量子保密通信的专用设备及其应用方法，具体是位相调制偏振态的六态量子编码器和解码器及其用于量子保密通信中的偏振补偿方法；六态量子编码器和解码器由两个位相一偏振控…… 查看详细 >

一种GaN基LED外延片及其制备方法

技术简介： 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特点是p型层…… 查看详细 >

自相似飞秒脉冲光纤激光器

技术简介： 自相似飞秒脉冲光纤激光器，由泵浦激光源、波分复用耦合器、掺镱光纤、输出耦合器、偏振旋转锁模装置、脉冲啁啾补偿装置以及普通光纤共同连接构成，其中，偏振旋转锁模装置由偏振控制器、隔离器…… 查看详细 >

自相似飞秒脉冲掺铒光纤激光器

技术简介： 自相似飞秒脉冲掺铒光纤激光器，由泵浦激光源、波分复用耦合器、掺铒光纤、正GVD的色散渐减光纤、输出耦合器、偏振旋转锁模装置、脉冲啁啾补偿装置以及普通光纤共同连接构成，其中，偏振旋转锁…… 查看详细 >

功率型发光二极管器件及其制造方法

技术简介： 本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法，包括：在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板…… 查看详细 >

多通道电子并行扫描光声实时层析成像的方法及其装置

技术简介： 本发明提供一种多通道电子并行扫描实时光声层析成像方法，包括如下步骤：脉冲激光入射到生物组织中产生光声信号；利用高密度阵列超声换能器并行接收光声信号，利用多通道电子并行扫描电路同步采…… 查看详细 >

高亮度发光晶体管及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)…… 查看详细 >

ppn型发光晶体管及其制备方法

技术简介： 本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管，包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p-型基区层，与p…… 查看详细 >