具有背光的指针式液晶显示装置

技术简介： 本发明涉及一种具有背光的指针式液晶显示装置，由电压输入电路、A/D(模拟/数字)转换器电路、译码和驱动电路、背光板、发光二极管背光电路共同连接构成，其相互连接关系为：电压输入电路的输出线…… 查看详细 >

具有大功率发光二极管光源的植物生长控制装置

技术简介： 本发明涉及一种具有选择适合植物生长的光波长的光源、可以测量和控制温度、显示温度的数值的具有大功率发光二极管光源的植物生长控制装置；主要由灯座、电源插座、灯罩、半导体制冷元件、电路板…… 查看详细 >

半导体外延片性能自动测试装置及其测试方法

技术简介： 本发明涉及一种半导体外延片性能自动测试装置，在于由计算机、控制电路、外延片、测磁探头、测量电路、控温箱、电磁铁、恒流电源、电流倒向电路共同连接构成，本发明还涉及所述装置用于半导体外…… 查看详细 >

用于红外光探测的雪崩光电二极管的二次封装装置

技术简介： 本发明涉及一种用于红外光探测的雪崩光电二极管(简称APD，下同)的二次封装装置，其底座的底部开有一梯级凹槽，底座的上端开有一贯穿底座左右端面的凹槽，凹槽与梯级凹槽相通；梯级凹槽的底部放…… 查看详细 >

一种产生真随机码的装置及其产生真随机码的方法

技术简介： 一种产生真随机码的装置，包括若干个多门限随机码发生器、数据处理器，噪声发生器与每个多门限随机码发生器分别相连，组成若干个随机码发生器单元，每个多门限随机码发生器与数据处理器相连。用…… 查看详细 >

GaN基LED外延片及其制备方法

技术简介： 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、低温缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×1018～6×101…… 查看详细 >

半导体异质结及其发光晶体管

技术简介： 本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层，所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺…… 查看详细 >

位相调制偏振态的量子编码器和解码器及其应用

技术简介： 本发明涉及通信领域中的量子保密通信的专用设备及其应用方法，具体是位相调制偏振态的六态量子编码器和解码器及其用于量子保密通信中的偏振补偿方法；六态量子编码器和解码器由两个位相一偏振控…… 查看详细 >

一种GaN基LED外延片及其制备方法

技术简介： 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特点是p型层…… 查看详细 >

自相似飞秒脉冲光纤激光器

技术简介： 自相似飞秒脉冲光纤激光器，由泵浦激光源、波分复用耦合器、掺镱光纤、输出耦合器、偏振旋转锁模装置、脉冲啁啾补偿装置以及普通光纤共同连接构成，其中，偏振旋转锁模装置由偏振控制器、隔离器…… 查看详细 >

自相似飞秒脉冲掺铒光纤激光器

技术简介： 自相似飞秒脉冲掺铒光纤激光器，由泵浦激光源、波分复用耦合器、掺铒光纤、正GVD的色散渐减光纤、输出耦合器、偏振旋转锁模装置、脉冲啁啾补偿装置以及普通光纤共同连接构成，其中，偏振旋转锁…… 查看详细 >

功率型发光二极管器件及其制造方法

技术简介： 本发明涉及一种功率型发光二极管器件的制造方法，包括：在半导体基板或金属基板或陶瓷基板上利用半导体MOCVD技术或外延扩散技术或离子注入技术制备光敏电阻，或者直接将成品光敏电阻焊接在基板…… 查看详细 >