技术简介: 本发明公开了一种超快电子器件响应测试系统及方法。该系统包括飞秒脉冲激光器、飞秒脉冲延时系统、电脉冲产生模块、电脉冲探测模块及数据采集校正系统;该方法为:利用光学延时系统将光束分成有…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法,该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构,再采用紫外透光导电材料沉积…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法,包括以下步骤:一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料,在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法,利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列;再采用微米级或纳米级光刻法,在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件,包括源、漏电极,主、副栅,第一、第二介质层以及异质结构,源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接,异质结构包括第一、第二半导体,第一…… 查看详细 >
技术简介: 一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件,包括源、漏电极,主、副栅,第一、二介质层以及异质结构,源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接,异质结构包括第一、二半导体,第一半导体设于…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种逐次逼近模数转换器,其内集成有电容阵列,其特征在于:该电容阵列内的电容分为三级:数字信号输出端的最高位至第五位设为第一级、第四位与第三位设为第二级,第二位与最低位设…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种晶片清洗、键合技术,尤其是指一种能高效率完成清洗和键合操作的原位等离子体清洗和键合晶片的设备。这种设备包括真空键合装置(110),还包括等离子体清洗装置,所述等离子…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及光波导技术领域。本发明提供一种等离子激元增益波导,包括基底层、介质层、隔离层和增益波导,所述介质层置于基底层的裸露表面,所述隔离层介于所述介质层和所述增益波导之间,所述增…… 查看详细 >
技术简介: 本发明揭示了一种空间光调制器的驱动电路,基于多量子阱的空间光调制器前向连接有一驱动电路,其特征在于:所述驱动电路包括信号相连的数模转换单元和驱动像素阵列,以及信号连接至两者的控制电…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种硅片甩胶装置,包括设置于甩胶盘本体上的用于放置硅片的凹槽,凹槽中设有支撑硅片的凸台,凹槽的边缘设有固定硅片的台阶,凹槽与一真空通道相连通;甩胶盘本体上端面还设置有…… 查看详细 >
技术简介: 本实用新型涉及一种多角度微调平台,该多角度微调平台包括平台底座以及微调平台;所述平台底座与微调平台之间设有一至少局部表面为球面的连接机构,球面连接机构周围分布有至少三个用于调节平台…… 查看详细 >
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