[00034146]Ⅲ族氮化物MISHEMT器件
联系人： 王老师
所在地：江苏 苏州市
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技术详细介绍
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，并且与第二半导体、主栅形成半导体-绝缘层-金属接触(MIS)；第二介质层设置于第一介质层和主栅表面，将主栅和副栅形成电隔离。主栅设置于第一介质层表面靠近源电极一侧；副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。
