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技术简介： 本实用新型技术厂坝分离式电站是一种新型水电站布局结构,实现水电站施工期限缩短、投资减少。背景技术：堤坝式水电站的主要水工建筑物，核心建筑为大坝。传统的大、中型水电站采用混凝土坝，以…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、In…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种正装三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BGaAsBi中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡…… 查看详细 >
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