薄膜电池的制作方法以及薄膜电池

技术简介： 本发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤：在导电衬底上沉积电池层；在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案；在上述纳米图案做为掩模的保护下，在电池层的表…… 查看详细 >

三结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、In…… 查看详细 >

三结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池，其中两个子电池采用GaNAsBi材料制作，与GaAs衬底晶格匹配，本发明还涉及该三结太阳电池的制备方法，本发明的三结太阳电池及其制备方法简化了制备工艺，提高了电池…… 查看详细 >

一种三结太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs…… 查看详细 >

一种硫-石墨烯复合结构锂硫电池正极材料制备方法

技术简介： 本发明涉及电池技术领域，尤其提供一种硫-石墨烯复合结构的锂硫电池正极材料制备方法，包括如下步骤：将硫粉与有机胺混合，配成第一分散液，所述硫与有机胺的质量-体积比为0。05～0。4g∶1mL；…… 查看详细 >

一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法

技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池…… 查看详细 >

一种三结级联太阳能电池及其制备方法

技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长InxGa1-xAs1-yNy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间…… 查看详细 >

一种有机硅化物修饰的锂硫电池正极材料的制备方法

技术简介： 本发明涉及电池技术领域，尤其提供一种有机硅化物修饰的锂硫电池正极材料的制备方法，包括如下步骤：A、取碳粉与浓酸混合，在50～120℃下加热5～120min；然后固液分离，并对获得的第一固体干燥…… 查看详细 >

一种四结级联太阳电池的制作方法

技术简介： 本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的…… 查看详细 >

锂离子电池碳硫复合正极材料及其制备方法

技术简介： 一种锂离子电池碳硫复合正极材料及其制备方法。该正极材料包括：壳层，包括导电聚合物层；以及核层，包括硫层，该硫层中均匀分布有纳米导电材料，所述纳米导电材料包括一种以上点状纳米导电颗粒…… 查看详细 >

锂硫电池正极材料及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种锂硫电池正极材料及其制备方法。该正极材料可包括硫/氧化石墨烯复合物，所述硫/氧化石墨烯复合物上依次包覆有功能化高分子层和粘结剂层，并且所述粘结剂层中所含的至少部分粘结…… 查看详细 >

三结级联太阳电池及其制备方法

技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还…… 查看详细 >