技术简介: 本发明公开了一种聚合物固体电解质的制造方法,其原料甲氨基丁酸锂采用一定浓度的NaOH水溶液在氮气的保护下,与N-甲基吡咯烷酮反应之后,再加入氯化锂来置换出其中的钠离子而得到的。然后将得到…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种无机固体电解质膜的制造方法,用于锂电池的电极中无机固体电解质基体的制造,基体的原料配方为:聚硅氧烷树脂∶磷酸锂∶硅藻土的质量比为25~30∶3~5∶72~65;经无机电解质薄片-…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种锂硫电池所需多硫化锂的制造工艺,在反应釜中,通过惰性气体的置换之后,合成原材料配方的摩尔比为N-甲基吡咯烷酮:硫氢化钠:氢氧化钠:无氧去离子水:氯化锂:升华硫=4。4~5…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及半导体外延工艺的技术领域,更具体地,涉及一种选择区域外延生长界面改善方法。包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底,在所述衬底上依次沉积应力缓冲层以及GaN缓冲层,获…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型涉及存储技术领域,具体地,涉及一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和分别设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的两个金属电…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种集成耦合偏振处理的行波光电探测器,至少包括一个构成单元,所述每个构成单元包括射频传输线、分别加载在射频传输线两侧的光探测单元、两条一端相互连接的无源光波导、开设…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型涉及存储技术领域,具体地,涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极,第…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种双栅极光电薄膜晶体管的光栅极复合膜结构及薄膜晶体管,其中复合膜结构包括第一透明导电氧化物薄膜、第二透明导电氧化物薄膜和金属层,其中第一透明导电氧化物薄膜、金属层…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及半导体材料外延生长领域,公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层,所述氮化…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及可见光光电探测器的技术领域,更具体地,涉及一种具有带通滤波功能的可见光通信用光电探测器。一种具有带通滤波功能的可见光通信用光电探测器,包括衬底,利用外延生长法,依次…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种硅基硫化锌异质结太阳电池,所述硅基硫化锌异质结太阳电池的结构为银前电极/氢掺杂AZO透明导电膜/硫化锌薄膜/硅基体/铝背场/铝电极,所述硫化锌薄膜为n型硫化锌发射极,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及绿色照明技术,公开了一种生成白光的方法,采用紫外光源激发至少两类ZnO基量子点,辐射出至少一种峰值波长在470~500nm范围内的光和至少一种峰值波长在550~760nm范围内的光,…… 查看详细 >
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