[00004941]一种选择区域外延生长界面改善方法
联系人： 何老师
所在地：广东 广州市
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技术详细介绍
摘要：本发明涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选择区域外延生长界面改善方法。包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底，在所述衬底上依次沉积应力缓冲层以及GaN缓冲层，获得进行选择区域外延的模板。在所述模板上淀积一层介质层，作为掩膜层，采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除需要外延AlGaN的区域的介质层,实现对掩膜层的图形化。最后在未被掩蔽的区域依次沉积低气压生长的GaN插入层,常规生长GaN沟道层以及AlGaN势垒层。本发明工艺简单，能够有效改善选择区域外延界面性能，提高选择区域外延层质量，降低外延层中的体漏电流及肖特基二极管反向漏电流。
