一种光动力反应装置

技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种光动力反应装置，包括：箱体，该箱体由不透光材料制成；固定于所述箱体顶部下方的光源模组，该光源模组包括由多个LED灯组成的光源；设置于所述箱体底部上方的用于放…… 查看详细 >

多光谱LED光动力反应装置

技术简介： 摘要：本实用新型公开了多光谱LED光动力反应装置，包括底座、设于该底座上的中心转轴、设于该中心转轴上的支撑面板、设于该支撑面板边缘位置处的若干个LED点阵面光源、驱动装置和载物平台，载物…… 查看详细 >

一种电润湿显示器件的制备方法

技术简介： 摘要：本发明公开了一种电润湿显示器件的制备方法，包括以下制备步骤：于下基板上涂覆所述疏水层涂覆浆料，形成疏水层；将所述亲水层浆料图形化后形成像素格层黏附于所述疏水层上；进行填充、封…… 查看详细 >

照明通信发光二极管器件

技术简介： 摘要：本发明公开一种照明通信发光二极管器件，依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极，所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生p型层、电子空穴复合层、电子产…… 查看详细 >

具有可调谐功能的平面纳米振荡器

技术简介： 摘要：本发明涉及一种具有可调谐功能的平面纳米振荡器，包括绝缘衬底层、二维半导体导电层、绝缘保护层、穿透所述二维半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极、输出电极和覆盖于所述绝缘保护层之上的…… 查看详细 >

一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管

技术简介： 摘要：本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合…… 查看详细 >

基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO3薄膜，所述铁磁…… 查看详细 >

基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，…… 查看详细 >

一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法

技术简介： 摘要：本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极，所述发光层包括CH3NH3PbBr3薄膜和镶…… 查看详细 >

一种双吸收层PIN结构光伏器件及制备方法

技术简介： 摘要：本发明提出了一种双吸收层PIN结构光伏器件及制备方法。它是在异质结中加入两种具有不同的带隙宽度材料V-Ga:TiO2（1.6eV）和Cu2O（2.0eV）作为光双吸收层，扩展了产生光生载流子的吸收波段…… 查看详细 >

一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器

技术简介： 摘要：本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法，其具体结构为FTO衬底层，ZnO纳米棒为电子传输层，CsPbBr3钙钛矿为吸光层，半导体氧化物MoO3为…… 查看详细 >

一种基于卤化铅的阻变存储器

技术简介： 摘要：本发明提出了一种基于卤化铅的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，FTO、ITO、ZTO作为基片和底电极，卤化铅薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻…… 查看详细 >